इसी प्रकार केSTH60N10FI

STH60N10
- Power dissipation 200 W Transistor polarity N Channel Current Id cont. 60 A Current Idm pulse 240 A Pitch lead 5.45 mm Voltage Vds max 100 V Resistance Rds on 0.025 R Temperature current 25 ?C
STH60N10FI
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STH6N100
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STH6N100FI
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STH6NA80FI
- N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTORS

STH60N10FI Datasheet और माड्यूल

निर्माता : ST Microelectronics

पैकिंग :

पिन : 0

तापमान : न्यूनतम 0 °C | अधिकतम 0 °C

आकार : 270 KB

अनुप्रयोग : N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS