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माड्यूल IRFIBC30G : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 2.2 Ohm, ID = 2.5 A
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माड्यूल IRFIBC30G : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 2.2 Ohm, ID = 2.5 A
निर्माता : IR
पैकिंग : TO-220 FULLPAK
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 185 KB
अनुप्रयोग : HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 2.2 Ohm, ID = 2.5 A