इसी प्रकार केIRFI1010N

  • IRFI064
    • HEXFET transistror. BVDSS = 60V, RDS(on) = 0.017 Ohm, ID = 45 A
  • IRFI064
    • HEXFET transistror. BVDSS = 60V, RDS(on) = 0.017 Ohm, ID = 45 A
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IRFI1010N Datasheet और माड्यूल

निर्माता : IR 

पैकिंग : TO-220 FULLPAK 

पिन : 3 

तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 175 °C

आकार : 119 KB

अनुप्रयोग : HEXFET power MOSFET. VDSS =55V, RDS(on) = 0.012 Ohm, ID = 49 A 

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