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माड्यूल IRF822FI : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
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IRF822FI Datasheet और माड्यूल
निर्माता : ST Microelectronics
पैकिंग : ISOWATT220
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -65 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 185 KB
अनुप्रयोग : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
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