L8801P Datasheet और माड्यूल

निर्माता : Polyfet RF 

पैकिंग : SO-8 

पिन : 8 

तापमान : न्यूनतम -65 °C | अधिकतम 150 °C

आकार : 43 KB

अनुप्रयोग : 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

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