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इसी प्रकार केF2212

  • F2211
    • 15 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2212
    • 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F2213
    • 16 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F2212 Datasheet और माड्यूल

निर्माता : Polyfet RF 

पैकिंग :  

पिन : 2 

तापमान : न्यूनतम -65 °C | अधिकतम 150 °C

आकार : 38 KB

अनुप्रयोग : 8 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F2212 पीडीएफ डाउनलोड करें