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इसी प्रकार केF1222

  • F1220
    • 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1221
    • 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1222
    • 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1222 Datasheet और माड्यूल

निर्माता : Polyfet RF 

पैकिंग :  

पिन : 2 

तापमान : न्यूनतम -65 °C | अधिकतम 150 °C

आकार : 41 KB

अनुप्रयोग : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F1222 पीडीएफ डाउनलोड करें