इसी प्रकार केF1214

  • F1210
    • 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1214
    • 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1214 Datasheet और माड्यूल

निर्माता : Polyfet RF 

पैकिंग :  

पिन : 6 

तापमान : न्यूनतम -65 °C | अधिकतम 150 °C

आकार : 38 KB

अनुप्रयोग : 10 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

F1214 पीडीएफ डाउनलोड करें