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माड्यूल PHW80NQ10T : 100 V, N-channel trenchMOS transistor
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- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
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- 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHW80NQ10T Datasheet और माड्यूल
निर्माता : Philips
पैकिंग : SOT
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -65 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 105 KB
अनुप्रयोग : 100 V, N-channel trenchMOS transistor
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