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माड्यूल PHB9N60E : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
इसी प्रकार केPHB9N60E
- PHB96NQ03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB98N03LT
- 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
- PHB9N60E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHB9NQ20T
- N-channel TrenchMOS transistor
PHB9N60E Datasheet और माड्यूल
निर्माता : Philips
पैकिंग : SOT404
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 45 KB
अनुप्रयोग : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
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