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माड्यूल PHB8ND50E : 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
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PHB8ND50E Datasheet और माड्यूल
निर्माता : Philips
पैकिंग : SOT
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 80 KB
अनुप्रयोग : 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
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