पथ :OKDatasheet > सेमीकंडक्टर Datasheet > NEC Datasheet > NE4210S01-T1
माड्यूल NE4210S01-T1 : GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
इसी प्रकार केNE4210S01-T1
- NE4210M01-T1
- N-channel HJ-FET
- NE4210M01-T2
- N-channel HJ-FET
- NE4210M01-T2
- N-channel HJ-FET
- NE4210S01-T1
- GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
- NE4210S01-T1B
- GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
- NE425S01-T1
- N-channel HJ-FET
- NE429M01
- N-channel HJ-FET
- NE429M01-T1
- N-channel HJ-FET
NE4210S01-T1 Datasheet और माड्यूल
निर्माता : NEC
पैकिंग : 4-pin u-x type mold
पिन : 0
तापमान : न्यूनतम 0 °C | अधिकतम 0 °C
आकार : 71 KB
अनुप्रयोग : GaAs HJ-FET for X to Ku band ultra-low noise, high gain amplification
NE4210S01-T1 पीडीएफ डाउनलोड करें