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माड्यूल MGW12N120D : Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode
इसी प्रकार केMGW12N120D
- MGW12N120
- Insulated gate bipolar transistor
- MGW12N120D
- Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode
MGW12N120D Datasheet और माड्यूल
निर्माता : Motorola
पैकिंग : TO-247AE
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 274 KB
अनुप्रयोग : Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode
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