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माड्यूल BD241 : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
इसी प्रकार केBD241
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BD241 Datasheet और माड्यूल
निर्माता : Micro Electronics
पैकिंग : TO-220B
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 106 KB
अनुप्रयोग : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
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