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माड्यूल BC261 : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
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माड्यूल BC261 : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor
निर्माता : Micro Electronics
पैकिंग : TO-18
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -65 °C | अधिकतम 200 °C
आकार : 103 KB
अनुप्रयोग : 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor