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माड्यूल IXTH13N110 : 1100V MegaMOS FET
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माड्यूल IXTH13N110 : 1100V MegaMOS FET
निर्माता : IXYS
पैकिंग : TO-247
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 50 KB
अनुप्रयोग : 1100V MegaMOS FET