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माड्यूल IXGT31N60D1 : 600V HiPerFET power MOSFET
इसी प्रकार केIXGT31N60D1
- IXGT15N120B
- 1200V HiPerFAST IGBT
- IXGT15N120BD1
- 1200V low voltage IGBT with diode
- IXGT15N120C
- 1200V IGBT
- IXGT15N120CD1
- 1200V low voltage IGBT with diode
- IXGT20N100
- 1000V IGBT
- IXGT20N60B
- 600V HiPerFAST IGBT
- IXGT20N60BD1
- 600V HiPerFAST IGBT with diode
- IXGT24N60C
- 600V HiPerFAST IGBT
IXGT31N60D1 Datasheet और माड्यूल
निर्माता : IXYS
पैकिंग : TO-268
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 58 KB
अनुप्रयोग : 600V HiPerFET power MOSFET
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