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माड्यूल IXGH31N60D1 : 600V HiPerFET power MOSFET
इसी प्रकार केIXGH31N60D1
- IXGH12N100
- 1000V low voltage high speed IGBT
- IXGH12N100A
- 1000V low voltage high speed IGBT
- IXGH12N100AU1
- 1000V high voltage IGBT
- IXGH12N100U1
- 1000V high voltage IGBT
- IXGH12N60B
- 600V HiPerFAST IGBT
- IXGH12N60BD1
- 600V HiPerFAST IGBT
- IXGH12N60C
- 600V HiPerFAST IGBT
- IXGH12N60CD1
- 600V HiPerFAST IGBT
IXGH31N60D1 Datasheet और माड्यूल
निर्माता : IXYS
पैकिंग : TO-247
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 58 KB
अनुप्रयोग : 600V HiPerFET power MOSFET
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