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माड्यूल IXFN100N10S3 : 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
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IXFN100N10S3 Datasheet और माड्यूल
निर्माता : IXYS
पैकिंग : SOT-227B
पिन : 4
तापमान : न्यूनतम -40 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 108 KB
अनुप्रयोग : 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
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