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  • IXBT42N170
    • 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor

IXBT42N170 Datasheet और माड्यूल

निर्माता : IXYS 

पैकिंग : TO-268 

पिन : 3 

तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 150 °C

आकार : 54 KB

अनुप्रयोग : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor 

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