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माड्यूल IRFU120N : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A
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माड्यूल IRFU120N : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A
निर्माता : IR
पैकिंग : I-PAK
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 175 °C
आकार : 156 KB
अनुप्रयोग : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A