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माड्यूल IRFS59N10D : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.025 Ohm, ID = 58A
इसी प्रकार केIRFS59N10D
- IRFS17N20D
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.17 Ohm, ID = 16A
- IRFS23N15D
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 150V, RDS(on) = 0.090 Ohm, ID = 23A
- IRFS23N15D
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 150V, RDS(on) = 0.090 Ohm, ID = 23A
- IRFS23N20D
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.10 Ohm, ID = 24A
- IRFS33N15D
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 150V, RDS(on) = 0.056 Ohm, ID = 33A
- IRFS38N20D
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.054 Ohm, ID = 44A
- IRFS4710
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.014 Ohm, ID = 75A
- IRFS59N10D
- HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.025 Ohm, ID = 58A
IRFS59N10D Datasheet और माड्यूल
निर्माता : IR
पैकिंग : DDPak
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 175 °C
आकार : 151 KB
अनुप्रयोग : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.025 Ohm, ID = 58A
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