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माड्यूल IRF830AS : HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 1.40 Ohm , ID = 5.0A
इसी प्रकार केIRF830AS
- IRF820
- HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 3.0Ohm , ID = 2.5A
- IRF820AL
- HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 3.0Ohm , ID = 2.5A
- IRF820AS
- HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 3.0Ohm , ID = 2.5A
- IRF820S
- HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 3.0Ohm , ID = 2.5A
- IRF830A
- HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 1.40 Ohm , ID = 5.0A
- IRF830AS
- HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 1.40 Ohm , ID = 5.0A
- IRF830S
- HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 1.5 Ohm , ID = 4.5A
- IRF840
- HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 0.85 Ohm , ID = 8.0A
IRF830AS Datasheet और माड्यूल
निर्माता : IR
पैकिंग : DDPak
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 170 KB
अनुप्रयोग : HEXFET power MOSFET. VDS = 500V, RDS(on) = 1.40 Ohm , ID = 5.0A
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