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माड्यूल IRC540 : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 28A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. Drain-to-source on-resistance 0.077Ohm
IRC540 Datasheet और माड्यूल
निर्माता : IR
पैकिंग : TO-220
पिन : 5
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 175 °C
आकार : 244 KB
अनुप्रयोग : HEXFET power MOSFET. Continuous drain current 28A @ Tc=25degC, Vgs=10V. Drain-to-source breakdown voltage 100V. Drain-to-source on-resistance 0.077Ohm
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