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इसी प्रकार केW4TXE0X-0D00

  • W4TXE0X-0D00
    • Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

W4TXE0X-0D00 Datasheet और माड्यूल

निर्माता : Cree 

पैकिंग :  

पिन : 0 

तापमान : न्यूनतम 0 °C | अधिकतम 0 °C

आकार : 306 KB

अनुप्रयोग : Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition 

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