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माड्यूल UHBS30-1 : NPN silicon RF power transistor
UHBS30-1 Datasheet और माड्यूल
निर्माता : ASI
पैकिंग :
पिन : 6
तापमान : न्यूनतम -65 °C | अधिकतम 200 °C
आकार : 19 KB
अनुप्रयोग : NPN silicon RF power transistor
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