पथ :OKDatasheet > सेमीकंडक्टर Datasheet > IR Datasheet > IRG4BC20FD
माड्यूल IRG4BC20FD : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.66V @ VGE = 15V, IC = 9.0A
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माड्यूल IRG4BC20FD : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.66V @ VGE = 15V, IC = 9.0A
निर्माता : IR
पैकिंग :
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 150 °C
आकार : 244 KB
अनुप्रयोग : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.66V @ VGE = 15V, IC = 9.0A