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माड्यूल IRF1010NS : HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A.
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माड्यूल IRF1010NS : HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A.
निर्माता : IR
पैकिंग : DDPak
पिन : 3
तापमान : न्यूनतम -55 °C | अधिकतम 175 °C
आकार : 160 KB
अनुप्रयोग : HEXFET power MOSFET. VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A.